A : Génie électrique - Micro-électronique

  • Cours (CM) 14h
  • Cours intégrés (CI) -
  • Travaux dirigés (TD) 14h
  • Travaux pratiques (TP) -
  • Travail étudiant (TE) 30h

Langue de l'enseignement : Français

Description du contenu de l'enseignement

Le cours se décline en 3 grandes parties :
  • Partie 1 : Bases de physiques des semi-conducteurs et de technologie de fabrication des circuits intégrés. Principe de fonctionnement du transistor MOS :
  • Partie 2 : Intégration de fonctions analogiques de base : miroir de courant, étage de gain, étage différentiel. Pré-dimensionnent d’un étage en fonction des performances visées ;
  • Partie 3 : Intégration de fonctions numériques de base : algèbre de Boole, architecture des portes standard (NAND, NOR, Bascule D…), introduction aux circuits numériques séquentiels.

Compétences à acquérir

1. Disciplinaires
  • Savoir expliquer et décrire les grandes étapes de fabrication d’un circuit intégré
  • Savoir expliquer les concepts physiques en lien avec le transport de charges dans les semi-conducteurs
  • Savoir expliquer le fonctionnement d’un transistor MOS
  • Savoir dimensionner un circuit analogique simple vis-à-vis de ses caractéristiques statiques
  • Savoir expliuer l’architecture de base d’un amplificateur opérationnel à deux étages
  • Savoir expliquer le fonctionnement d’une porte logique de base (NAND, NOR, AND, Bascule D)
  • Savoir synthétiser une porte logique CMOS
  • Savoir synthétiser un circuit combinatoire et un circuit séquentiel simples
  • Savoir expliquer le principe de fonctionnement un micro-processeur

2. Transversales
  • Savoir organiser et planifier son travail de manière autonome

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Faculté de physique et ingénierie

3-5, rue de l'Université
67084 STRASBOURG CEDEX

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